SK 海力士 表示,半導體生產流程未受波及,相關問題正在溯源排查。 SK 海力士 在全球DRAM市場占有率約30%,清州園區是其先進產能的核心陣地。
來源:芯極速
SK 海力士 表示,半導體生產流程未受波及,相關問題正在溯源排查。 SK 海力士 在全球DRAM市場占有率約30%,清州園區是其先進產能的核心陣地。
來源:芯極速
消息人士透露, SK 海力士 曾以獲取日本政府補貼為前提,與日本部分地方政府就DRAM工廠選址進行初步溝通。
來源:趙輝
據 SK 海力士 官方消息,2026年1月28日,這家韓國存儲器巨頭宣布了一項重大戰略舉措:將以14.428萬億韓元(約合100億美元)收購其美國子公司“ SK 海力士 NAND產品解決方案”的剩余股份,實現全資控股
來源:趙輝
針對Wccftech的報道, SK 海力士 回應稱,“目前已完成了新的M15X工廠兩年的建設,將提前開業。專注于HBM生產的M15X工廠計劃于明年開始全面量產。
來源:芯極速
投資界人士透露, SK 海力士 已確定符合NVIDIA規格的HBM4價格與供應量,并維持當前獲利水準。業界估計, SK 海力士 HBM4毛利率約為60%。
來源:龍靈
分析指出,隨著堆疊層數的增加,HBM在DRAM領域的比重將持續擴大,成為推動 SK 海力士 業績增長的重要引擎。
來源:李智衍
SK 海力士 在財報中表示,公司計劃今年增加HBM3E的供應量,并適時開發出HBM4,根據客戶的要求進行供應。 SK 海力士 預計16層HBM4將于明年下半年出貨,正與臺積電合作。
來源:芯極速
繼美光和三星決定減產后,南韓存儲器芯片巨頭 SK 海力士 也緊隨其后,計劃將上半年NAND快閃存儲器的產量削減10%。 SK 海力士 作為全球第二大NAND快閃廠商,其減產行動無疑將對市場產生深遠影響。
來源:龍靈
SK 海力士 憑借大幅提升的研發投資,成功躋身全球研發投入50強企業。
來源:林慧宇
SK 海力士 內部人士透露,該公司正在積極推進先進封裝技術的研發,目標是盡快實現聯合產品開發并啟動量產。盡管如此, SK 海力士 方面表示,目前還未決定是否將這些技術商業化。
來源:ictimes