據報道， 長 鑫 存儲 DDR 5 芯片因生產 良 率 提升，整體供應狀況已顯著改善。資料顯示， 長 鑫 17nm DDR 5 良 率 已 突破 90 %，與三星同代產品92%至93%的 良 率 水平僅差2到3個百分點。

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長 鑫 暫未證實此傳言，但其官網上已宣布LPDDR 5 系列進軍移動終端市場。據韓媒報道， 長 鑫 的 DDR 5 良 率 約80%，與韓國晶圓廠對手相近，顯示其技術能力不俗。

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報道稱，目前合肥 長 鑫 的17nm工藝 DDR 5 內存芯片 良 率 已經達到了40%，預計在今年二季度試產，出樣片給到客戶。雖然目前40%的 良 率 較低，不過長 鑫 存儲將會在接下來的時間里持續改進 良 率 。

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2022 年， 長 鑫 存儲邁入 G3 制程量產階段，如今正全力邁向 G4 制程，其 2025 年新增產能將精準錨定 LPDDR 5 及 DDR 5 市場，聚焦服務器與智能手機領域。

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近日， 長 鑫 存儲首次公開展示了 DDR 5 和LPDDR 5 X兩大產品線的最新產品。

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目前， 長 鑫 存儲生產的HBM及 DDR 5 等產品主要依托傳統工藝制造，在芯片性能與 良 率 方面與三星電子存在顯著差距。

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長 鑫 存儲在2024年成功量產 DDR 5 DRAM后，通過光罩修改優化（解決初期寬溫及散熱問題）后，2025年下半年平均 良 率 已 突破 80%，接近市場主流規格標準。

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近期盛傳 長 鑫 存儲量產的 DDR 5 也可能面臨 良 率 問題，且在美國限制下，中國業者難以引進先進設備，雙方技術及成本差距可能進一步拉大。