DRAM 領(lǐng)域： 長 鑫 存儲(chǔ)躋身全球第一梯隊(duì)長 鑫 存儲(chǔ)作為國產(chǎn) DRAM 龍頭，實(shí)現(xiàn)跨越式發(fā)展：· 技術(shù) 突破 ：17nm DDR 5 芯片規(guī)模出貨， 良 率 超 90 %，性能與國際一線差距不足 5 %·&nbsp

來源：venuchip啟銘芯存儲(chǔ)

長 鑫 存儲(chǔ)還規(guī)劃將采用10G3（17nm工藝）發(fā)展 DDR 4、LPDDR4X、 DDR 5 以及 LPDDR 5 產(chǎn)品，采用10G 5 工藝推出 DDR 5 、LPDDR 5 以及GDDR6產(chǎn)品，該技術(shù)是使用 HKMG 和氣隙位線技術(shù)

來源：Ai芯天下

目前，該企業(yè)已實(shí)現(xiàn) DDR 4、 DDR 5 及LPDDR 5 系列產(chǎn)品的量產(chǎn)，正持續(xù)提升 DDR 5 產(chǎn)能并加速HBM的技術(shù)布局。

來源：陳超月

這一調(diào)整表明 長 鑫 存儲(chǔ)正全力轉(zhuǎn)向 DDR 5 和LPDDR 5 市場(chǎng)。中國中國臺(tái)灣地區(qū)地區(qū)《數(shù)碼時(shí)報(bào)》分析認(rèn)為，該企業(yè)在新型DRAM標(biāo)準(zhǔn)的研發(fā)進(jìn)程中取得 突破 ，為產(chǎn)能調(diào)整提供了技術(shù)支撐。

來源：芯極速

市場(chǎng)分析指出，隨著 DDR 5 和LPDDR 5 X出貨占比持續(xù)提升，以及新產(chǎn)能逐步釋放， 長 鑫 科技的市占 率 有望進(jìn)一步上升。據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)，2025年第二季度其全球DRAM市占 率 已接近4%， 突破 這一目標(biāo)指日可待。

來源：龍靈

長 鑫 存儲(chǔ)需實(shí)現(xiàn)高介電金屬閘極晶體管技術(shù)以提升性能，目前LPDDR4 良 率 約80%，而 DDR 5 良 率 尚待提升。公司已進(jìn)入移動(dòng)市場(chǎng)，充分利用中國龐大需求。

來源：李智衍

內(nèi)存已有嵌入式內(nèi)存、高帶寬內(nèi)存，加上 DDR 4、 DDR 5 等直接內(nèi)存，以及CXL等擴(kuò)展內(nèi)存等。

來源：愛集微

長 鑫 產(chǎn)品定位于大宗標(biāo)準(zhǔn)型 DRAM 產(chǎn)品，目前已量產(chǎn)19nm 的 DDR 4/LPDDR4/LPDDR4X 等， 良 率 在 75-85%，未來 2-3 年內(nèi)將推進(jìn)低功耗高速率 LPDDR 5 DRAM 產(chǎn)品開發(fā)